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ALD110904PAL

ALD110904PAL

僅供參考

型號 ALD110904PAL
PNEDA編號 ALD110904PAL
描述 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 5,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD110904PAL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD110904PAL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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ALD110904PAL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列EPAD®
FET類型2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12mA, 3mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs500Ohm @ 4.4V
Vgs(th)(最大)@ ID420mV @ 1µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2.5pF @ 5V
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-PDIP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

268pF @ 10V

功率-最大

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

285pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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