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ALD1116PAL

ALD1116PAL

僅供參考

型號 ALD1116PAL
PNEDA編號 ALD1116PAL
描述 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 6,720
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD1116PAL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD1116PAL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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ALD1116PAL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs500Ohm @ 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3pF @ 5V
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-PDIP

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA, 3.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27.6pF @ 10V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2.5W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1835pF @ 20V

功率-最大

48W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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