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ALD111933PAL

ALD111933PAL

僅供參考

型號 ALD111933PAL
PNEDA編號 ALD111933PAL
描述 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 8,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD111933PAL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD111933PAL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ALD111933PAL, ALD111933PAL數據表 (總頁數: 10, 大小: 90.82 KB)
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ALD111933PAL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列EPAD®
FET類型2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs500Ohm @ 5.9V
Vgs(th)(最大)@ ID3.35V @ 1µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2.5pF @ 5V
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-PDIP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3491pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

86mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 1mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

87mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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