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SIA915DJ-T4-GE3

SIA915DJ-T4-GE3

僅供參考

型號 SIA915DJ-T4-GE3
PNEDA編號 SIA915DJ-T4-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 30V SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,624
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA915DJ-T4-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA915DJ-T4-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SIA915DJ-T4-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.7A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs87mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds275pF @ 15V
功率-最大1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

995mOhm @ 410mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

270mW

工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1550pF @ 25V

功率-最大

60W

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

532pF @ 16V

功率-最大

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工作溫度

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