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ALD212900PAL

ALD212900PAL

僅供參考

型號 ALD212900PAL
PNEDA編號 ALD212900PAL
描述 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 5,688
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD212900PAL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD212900PAL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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ALD212900PAL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列EPAD®, Zero Threshold™
FET類型2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs14Ohm
Vgs(th)(最大)@ ID20mV @ 20µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds30pF @ 5V
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-PDIP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 700µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

86mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 1mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.5nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

787pF @ 6V

功率-最大

1.36W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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