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AOW2918

AOW2918

僅供參考

型號 AOW2918
PNEDA編號 AOW2918
描述 MOSFET N-CH 100V 13A TO262
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AOW2918資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AOW2918
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AOW2918, AOW2918數據表 (總頁數: 6, 大小: 305.9 KB)
PDFAOW2918數據表 封面
AOW2918數據表 頁面 2 AOW2918數據表 頁面 3 AOW2918數據表 頁面 4 AOW2918數據表 頁面 5 AOW2918數據表 頁面 6

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AOW2918規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Ta), 90A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs53nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3430pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)2.1W (Ta), 267W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

600mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

600A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

590nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-264 (IXTK)

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-223

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

65V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2030pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

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