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SSM3J325F,LF

SSM3J325F,LF

僅供參考

型號 SSM3J325F,LF
PNEDA編號 SSM3J325F-LF
描述 MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 28,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3J325F資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3J325F,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3J325F規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVI
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds270pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)600mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝S-Mini
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

101nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7280pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

115mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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48A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4525pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

113.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 20V

FET功能

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