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AOY423

AOY423

僅供參考

型號 AOY423
PNEDA編號 AOY423
描述 MOSFET P-CH
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AOY423資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AOY423
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AOY423, AOY423數據表 (總頁數: 1, 大小: 184.78 KB)
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AOY423規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta), 70A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V, 20V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.7mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs65nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2760pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 90W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-251B
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 102A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 60µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.65W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4.75V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

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