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APT100GT120JR

APT100GT120JR

僅供參考

型號 APT100GT120JR
PNEDA編號 APT100GT120JR
描述 IGBT 1200V 123A 570W SOT227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT100GT120JR資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT100GT120JR
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APT100GT120JR規格

制造商Microsemi Corporation
系列Thunderbolt IGBT®
IGBT類型NPT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)123A
功率-最大570W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.7V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)100µA
輸入電容(Cies)@ Vce6.7nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝ISOTOP®

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

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Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

7.5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.6nF @ 25V

輸入

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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