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APT102GA60L

APT102GA60L

僅供參考

型號 APT102GA60L
PNEDA編號 APT102GA60L
描述 IGBT 600V 183A 780W TO264
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $47.6568
100 ---------- $45.4229
250 ---------- $43.1890
500 ---------- $40.9551
750 ---------- $39.0935
1,000 ---------- $37.2319
庫存 20
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT102GA60L資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT102GA60L
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT102GA60L規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)183A
電流-集電極脈沖(Icm)307A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 62A
功率-最大780W
開關能量1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用294nC
25°C時的Td(開/關)28ns/212ns
測試條件400V, 62A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝TO-264 [L]

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電流-集電極脈沖(Icm)

13.5A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 2A

功率-最大

32W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

10.5nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 5A

功率-最大

25W

開關能量

55µJ (on), 85µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/72ns

測試條件

390V, 5A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

22ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 17A

功率-最大

40W

開關能量

200µJ (on), 210µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

37nC

25°C時的Td(開/關)

35ns/80ns

測試條件

300V, 17A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 60A

功率-最大

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開關能量

2.8mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

123nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/93ns

測試條件

400V, 60A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

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安裝類型

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