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STGB20M65DF2

STGB20M65DF2

僅供參考

型號 STGB20M65DF2
PNEDA編號 STGB20M65DF2
描述 IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB20M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB20M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB20M65DF2, STGB20M65DF2數據表 (總頁數: 18, 大小: 677.88 KB)
PDFSTGB20M65DF2數據表 封面
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STGB20M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)80A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 20A
功率-最大166W
開關能量140µJ (on), 560µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用63nC
25°C時的Td(開/關)26ns/108ns
測試條件400V, 20A, 12Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)166ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 11A

功率-最大

298W

開關能量

950µJ (on), 1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

960V, 11A, 10Ohm, 15V

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電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 40A

功率-最大

349W

開關能量

1.3mJ (on), 260µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

119nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/92ns

測試條件

400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

90ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

95A

電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 48A

功率-最大

330W

開關能量

600µJ (on), 1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/155ns

測試條件

400V, 48A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

70ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

電流-集電極脈沖(Icm)

108A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 12A

功率-最大

167W

開關能量

55µJ (on), 110µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

23nC

25°C時的Td(開/關)

6ns/40ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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