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STGB20M65DF2

STGB20M65DF2

僅供參考

型號 STGB20M65DF2
PNEDA編號 STGB20M65DF2
描述 IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB20M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB20M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB20M65DF2, STGB20M65DF2數據表 (總頁數: 18, 大小: 677.88 KB)
PDFSTGB20M65DF2數據表 封面
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STGB20M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)80A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 20A
功率-最大166W
開關能量140µJ (on), 560µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用63nC
25°C時的Td(開/關)26ns/108ns
測試條件400V, 20A, 12Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)166ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 11A

功率-最大

298W

開關能量

950µJ (on), 1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/180ns

測試條件

960V, 11A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 27A

功率-最大

200W

開關能量

990µJ (on), 590µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

180nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/140ns

測試條件

480V, 27A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 20A

功率-最大

167W

開關能量

200µJ (on), 130µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

116nC

25°C時的Td(開/關)

38ns/149ns

測試條件

400V, 20A, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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