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APT10M11JVR

APT10M11JVR

僅供參考

型號 APT10M11JVR
PNEDA編號 APT10M11JVR
描述 MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT10M11JVR資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT10M11JVR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
APT10M11JVR, APT10M11JVR數據表 (總頁數: 4, 大小: 70.8 KB)
PDFAPT10M11JVR數據表 封面
APT10M11JVR數據表 頁面 2 APT10M11JVR數據表 頁面 3 APT10M11JVR數據表 頁面 4

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APT10M11JVR規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS V®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)144A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs450nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)450W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝ISOTOP®
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

37.5pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

29.7W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/543

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

915mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.82nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

300mW (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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