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APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

僅供參考

型號 APT150GN60LDQ4G
PNEDA編號 APT150GN60LDQ4G
描述 IGBT 600V 220A 536W TO-264L
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT150GN60LDQ4G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT150GN60LDQ4G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT150GN60LDQ4G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)220A
電流-集電極脈沖(Icm)450A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.85V @ 15V, 150A
功率-最大536W
開關能量8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用970nC
25°C時的Td(開/關)44ns/430ns
測試條件400V, 150A, 1Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝TO-264 [L]

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 30A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

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門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

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工作溫度

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

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開關能量

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輸入類型

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門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

850V, 30A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.4V @ 15V, 30A

功率-最大

220W

開關能量

740µJ (on), 3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

80nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/330ns

測試條件

400V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

78A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 30A

功率-最大

370W

開關能量

350µJ (on), 825µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

102nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/185ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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