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APT15GP90BDQ1G

APT15GP90BDQ1G

僅供參考

型號 APT15GP90BDQ1G
PNEDA編號 APT15GP90BDQ1G
描述 IGBT 900V 43A 250W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT15GP90BDQ1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT15GP90BDQ1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT15GP90BDQ1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)900V
當前-集電極(Ic)(最大值)43A
電流-集電極脈沖(Icm)60A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.9V @ 15V, 15A
功率-最大250W
開關能量200µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用60nC
25°C時的Td(開/關)9ns/33ns
測試條件600V, 15A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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電流-集電極脈沖(Icm)

600A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 200A

功率-最大

682W

開關能量

13mJ (on), 11mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

1180nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/560ns

測試條件

400V, 200A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

160W

開關能量

110µJ (on), 230µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

98nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/100ns

測試條件

480V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

145A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 30A

功率-最大

500W

開關能量

2.6mJ (on), 1.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

69nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/130ns

測試條件

600V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電流-集電極脈沖(Icm)

12A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 4A

功率-最大

75W

開關能量

90µJ (on), 150µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

14ns/146ns

測試條件

400V, 4A, 43Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

43ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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