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APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

僅供參考

型號 APT200GN60B2G
PNEDA編號 APT200GN60B2G
描述 IGBT 600V 283A 682W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 5 - 二月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT200GN60B2G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT200GN60B2G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT200GN60B2G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)283A
電流-集電極脈沖(Icm)600A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.85V @ 15V, 200A
功率-最大682W
開關能量13mJ (on), 11mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用1180nC
25°C時的Td(開/關)50ns/560ns
測試條件400V, 200A, 1Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝-

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電流-集電極脈沖(Icm)

400A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 95A

功率-最大

892W

開關能量

3.12mJ (on), 2.55mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

420nC

25°C時的Td(開/關)

29ns/226ns

測試條件

433V, 95A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 12A

功率-最大

63W

開關能量

60µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/60ns

測試條件

400V, 12A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 50A

功率-最大

282W

開關能量

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輸入類型

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門禁費用

230nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/220ns

測試條件

400V, 25A, 8Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

95ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

41A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.25V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

21nC

25°C時的Td(開/關)

-/4.8µs

測試條件

300V, 6.5A, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

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400V, 50A, 8Ohm, 15V

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