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APT30GN60BG

APT30GN60BG

僅供參考

型號 APT30GN60BG
PNEDA編號 APT30GN60BG
描述 IGBT 600V 63A 203W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT30GN60BG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT30GN60BG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT30GN60BG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)63A
電流-集電極脈沖(Icm)90A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 30A
功率-最大203W
開關能量525µJ (on), 700µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用165nC
25°C時的Td(開/關)12ns/155ns
測試條件400V, 30A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

16A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 4A

功率-最大

23W

開關能量

40µJ (on), 136µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15.2nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/86ns

測試條件

400V, 4A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

133ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 30A

功率-最大

463W

開關能量

280µJ (on), 240µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

225nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/150ns

測試條件

390V, 30A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 20A

功率-最大

156W

開關能量

650µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

155nC

25°C時的Td(開/關)

-/160ns

測試條件

600V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 12A

功率-最大

125W

開關能量

81µJ (on), 125µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

53nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/90ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

31ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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