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APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

僅供參考

型號 APT35GP120JDQ2
PNEDA編號 APT35GP120JDQ2
描述 IGBT 1200V 64A 284W SOT227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT35GP120JDQ2資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT35GP120JDQ2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APT35GP120JDQ2規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
IGBT類型PT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)64A
功率-最大284W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.9V @ 15V, 35A
當前-集電極截止(最大值)350µA
輸入電容(Cies)@ Vce3.24nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱ISOTOP
供應商設備包裝ISOTOP®

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

12.7nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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