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APT5010LFLLG

APT5010LFLLG

僅供參考

型號 APT5010LFLLG
PNEDA編號 APT5010LFLLG
描述 MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT5010LFLLG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT5010LFLLG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
APT5010LFLLG, APT5010LFLLG數據表 (總頁數: 5, 大小: 306.75 KB)
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APT5010LFLLG規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)46A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs95nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4360pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)520W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264 [L]
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

105pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

104mOhm @ 10A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.6V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 18V

Vgs(最大)

+22V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

785pF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

165W (Tc)

工作溫度

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Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.6nC @ 5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1236pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.57nC @ 4.5V

Vgs(最大)

10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9pF @ 3V

FET功能

-

功耗(最大值)

100mW (Ta)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 22A, 10V

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