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APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

僅供參考

型號 APT75GN60B2DQ3G
PNEDA編號 APT75GN60B2DQ3G
描述 IGBT 600V 155A 536W TO264
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT75GN60B2DQ3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT75GN60B2DQ3G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT75GN60B2DQ3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)155A
電流-集電極脈沖(Icm)225A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.85V @ 15V, 75A
功率-最大536W
開關能量2500µJ (on), 2140µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用485nC
25°C時的Td(開/關)47ns/385ns
測試條件400V, 75A, 1Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.96V @ 15V, 120A

功率-最大

160W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

196V, 25A, 10Ohm

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 10A

功率-最大

125W

開關能量

600µJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

98nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/170ns

測試條件

600V, 10A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 20A

功率-最大

160W

開關能量

160µJ (on), 200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

97nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/65ns

測試條件

300V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

功率-最大

750W

開關能量

5.4mJ (on), 3.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

157nC

25°C時的Td(開/關)

84ns/216ns

測試條件

400V, 100A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

62ns

工作溫度

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安裝類型

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