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APT75GP120J

APT75GP120J

僅供參考

型號 APT75GP120J
PNEDA編號 APT75GP120J
描述 IGBT 1200V 128A 543W SOT227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT75GP120J資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT75GP120J
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APT75GP120J規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
IGBT類型PT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)128A
功率-最大543W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce7.04nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱ISOTOP
供應商設備包裝ISOTOP®

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1200V

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420A

功率-最大

1500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

18.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

E1

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

341A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.17V @ 15V, 300A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

300µA

輸入電容(Cies)@ Vce

36nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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PT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

720A

功率-最大

1750W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

1.8mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

制造商

IXYS

系列

XPT™, GenX3™

IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

105A

功率-最大

500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 82A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4060pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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