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APT75GP120J

APT75GP120J

僅供參考

型號 APT75GP120J
PNEDA編號 APT75GP120J
描述 IGBT 1200V 128A 543W SOT227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT75GP120J資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT75GP120J
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APT75GP120J規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
IGBT類型PT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)128A
功率-最大543W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce7.04nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱ISOTOP
供應商設備包裝ISOTOP®

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

1.8mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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105A

功率-最大

500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 82A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4060pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

420A

功率-最大

1500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

18.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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Trench Field Stop

配置

Dual, Common Source

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

312W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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功率-最大

64W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

700pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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