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APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

僅供參考

型號 APT80GA60LD40
PNEDA編號 APT80GA60LD40
描述 IGBT 600V 143A 625W TO264
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT80GA60LD40資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT80GA60LD40
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT80GA60LD40規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 8™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)143A
電流-集電極脈沖(Icm)240A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 47A
功率-最大625W
開關能量840µJ (on), 751µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用230nC
25°C時的Td(開/關)23ns/158ns
測試條件400V, 47A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)22ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝TO-264

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 35A

功率-最大

250W

開關能量

1.6mJ (on), 800µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

300V, 35A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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輸入類型

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門禁費用

226nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

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開關能量

490µJ (on), 140µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

108nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/156ns

測試條件

400V, 25A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 30A

功率-最大

310W

開關能量

330µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

160nC

25°C時的Td(開/關)

-/145ns

測試條件

400V, 30A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

90ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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