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IXXH30N65C4D1

IXXH30N65C4D1

僅供參考

型號 IXXH30N65C4D1
PNEDA編號 IXXH30N65C4D1
描述 IGBT
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,442
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXXH30N65C4D1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXXH30N65C4D1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IXXH30N65C4D1規格

制造商IXYS
系列XPT™, GenX4™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)62A
電流-集電極脈沖(Icm)136A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 30A
功率-最大230W
開關能量1.1mJ (on), 400µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用47nC
25°C時的Td(開/關)20ns/140ns
測試條件400V, 30A, 15Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)72ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD

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電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 50A

功率-最大

250W

開關能量

1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/160ns

測試條件

400V, 50A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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134A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

543W

開關能量

4495µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

315nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/320ns

測試條件

800V, 50A, 2.2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

供應商設備包裝

-

制造商

IXYS

系列

XPT™, GenX3™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

410A

電流-集電極脈沖(Icm)

1100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 100A

功率-最大

1560W

開關能量

5mJ (on), 4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

340nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/370ns

測試條件

400V, 100A, 0Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

108ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

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門禁費用

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