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APTC60AM42F2G

APTC60AM42F2G

僅供參考

型號 APTC60AM42F2G
PNEDA編號 APTC60AM42F2G
描述 MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC60AM42F2G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC60AM42F2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTC60AM42F2G, APTC60AM42F2G數據表 (總頁數: 6, 大小: 409.16 KB)
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APTC60AM42F2G規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型2 N Channel (Phase Leg)
FET功能Super Junction
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)66A
Rds On(Max)@ Id,Vgs42mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 6mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs510nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14600pF @ 25V
功率-最大416W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP2
供應商設備包裝SP2

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1.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

441pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

631pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 13µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

910pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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