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NVMFD5C680NLWFT1G

NVMFD5C680NLWFT1G

僅供參考

型號 NVMFD5C680NLWFT1G
PNEDA編號 NVMFD5C680NLWFT1G
描述 MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 12,054
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5C680NLWFT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5C680NLWFT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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NVMFD5C680NLWFT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 13µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds350pF @ 25V
功率-最大3W (Ta), 19W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A, 3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

305mA, 190mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

99A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 49.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

280nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.4Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.43nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7.5pF @ 10V

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