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APTC60DSKM24T3G

APTC60DSKM24T3G

僅供參考

型號 APTC60DSKM24T3G
PNEDA編號 APTC60DSKM24T3G
描述 MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,248
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC60DSKM24T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC60DSKM24T3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTC60DSKM24T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型2 N Channel (Dual Buck Chopper)
FET功能Super Junction
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)95A
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs300nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14400pF @ 25V
功率-最大462W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28.5pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2254pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3462pF @ 25V

功率-最大

68W

工作溫度

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.1nC @ 4.5V

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