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APTC80H29T3G

APTC80H29T3G

僅供參考

型號 APTC80H29T3G
PNEDA編號 APTC80H29T3G
描述 MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC80H29T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC80H29T3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTC80H29T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A
Rds On(Max)@ Id,Vgs290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs90nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2254pF @ 25V
功率-最大156W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

560nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28000pF @ 25V

功率-最大

1250W

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 6V

功率-最大

1W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 650mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 16V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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110A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

115nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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