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APTC90DSK12T1G

APTC90DSK12T1G

僅供參考

型號 APTC90DSK12T1G
PNEDA編號 APTC90DSK12T1G
描述 MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,754
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC90DSK12T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC90DSK12T1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTC90DSK12T1G, APTC90DSK12T1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 505.42 KB)
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APTC90DSK12T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型2 N Channel (Dual Buck Chopper)
FET功能Super Junction
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A
Rds On(Max)@ Id,Vgs120mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 3mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs270nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6800pF @ 100V
功率-最大250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6200pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

62pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

910pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 100mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

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