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SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7997DP-T1-GE3
PNEDA編號 SI7997DP-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 14,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7997DP-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7997DP-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI7997DP-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)60A
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs160nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6200pF @ 15V
功率-最大46W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

57mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.6nC @ 5V

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28.6nC @ 10V

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