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APTC90HM60T3G

APTC90HM60T3G

僅供參考

型號 APTC90HM60T3G
PNEDA編號 APTC90HM60T3G
描述 MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,456
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC90HM60T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC90HM60T3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTC90HM60T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Super Junction
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)59A
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 6mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs540nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13600pF @ 100V
功率-最大462W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A, 2.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

功率-最大

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115mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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