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APTGF150DH120G

APTGF150DH120G

僅供參考

型號 APTGF150DH120G
PNEDA編號 APTGF150DH120G
描述 IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGF150DH120G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGF150DH120G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGF150DH120G, APTGF150DH120G數據表 (總頁數: 6, 大小: 428.89 KB)
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APTGF150DH120G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
配置Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
功率-最大961W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.7V @ 15V, 150A
當前-集電極截止(最大值)350µA
輸入電容(Cies)@ Vce10.2nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.17V @ 15V, 300A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

300µA

輸入電容(Cies)@ Vce

36nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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輸入電容(Cies)@ Vce

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 200A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

14.9nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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輸入電容(Cies)@ Vce

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