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APTGF150DH120G

APTGF150DH120G

僅供參考

型號 APTGF150DH120G
PNEDA編號 APTGF150DH120G
描述 IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGF150DH120G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGF150DH120G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGF150DH120G, APTGF150DH120G數據表 (總頁數: 6, 大小: 428.89 KB)
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APTGF150DH120G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
配置Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
功率-最大961W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.7V @ 15V, 150A
當前-集電極截止(最大值)350µA
輸入電容(Cies)@ Vce10.2nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

208W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4150pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

2400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

28nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

275A

功率-最大

1035W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

20.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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IGBT類型

NPT, Trench Field Stop

配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

341A

功率-最大

1042W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.17V @ 15V, 300A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

300µA

輸入電容(Cies)@ Vce

36nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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供應商設備包裝

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