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APTGT100DA120D1G

APTGT100DA120D1G

僅供參考

型號 APTGT100DA120D1G
PNEDA編號 APTGT100DA120D1G
描述 IGBT 1200V 150A 520W D1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,158
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT100DA120D1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT100DA120D1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGT100DA120D1G, APTGT100DA120D1G數據表 (總頁數: 4, 大小: 174.84 KB)
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APTGT100DA120D1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)150A
功率-最大520W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)3mA
輸入電容(Cies)@ Vce7nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D1
供應商設備包裝D1

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1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-25°C ~ 85°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

1450W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

27nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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IGBT類型

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配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

功率-最大

81W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.55V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

675pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

330A

功率-最大

1380W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

13mA

輸入電容(Cies)@ Vce

13nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Y3-DCB

供應商設備包裝

Y3-DCB

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IGBT類型

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

575W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

13.7nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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