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APTGT30A170T1G

APTGT30A170T1G

僅供參考

型號 APTGT30A170T1G
PNEDA編號 APTGT30A170T1G
描述 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT30A170T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT30A170T1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT30A170T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)45A
功率-最大210W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 30A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce2.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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功率-最大

600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.45V @ 15V, 200A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

13nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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85A

功率-最大

350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

4mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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20A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.35nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

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NTC熱敏電阻

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