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APTGT30A60T1G

APTGT30A60T1G

僅供參考

型號 APTGT30A60T1G
PNEDA編號 APTGT30A60T1G
描述 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,952
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT30A60T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT30A60T1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGT30A60T1G, APTGT30A60T1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 273.64 KB)
PDFAPTGT30A60T1G數據表 封面
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APTGT30A60T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
功率-最大90W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 30A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce1.6nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.55V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

14.7nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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2.7V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.935nF @ 30V

輸入

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NTC熱敏電阻

Yes

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

2 Independent

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1060A

功率-最大

4050W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

37nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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45A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

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