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FMS7G15US60S

FMS7G15US60S

僅供參考

型號 FMS7G15US60S
PNEDA編號 FMS7G15US60S
描述 IGBT 600V 15A 25PM-AA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FMS7G15US60S資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FMS7G15US60S
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FMS7G15US60S, FMS7G15US60S數據表 (總頁數: 10, 大小: 756.61 KB)
PDFFMS7G15US60S數據表 封面
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FMS7G15US60S規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter with Brake
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
功率-最大73W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 15A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce0.935nF @ 30V
輸入Single Phase Bridge Rectifier
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱25PM-AA
供應商設備包裝25PM-AA

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

103A

功率-最大

520W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1.5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

130A

功率-最大

540W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

830W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

6.5V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

32nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

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NTC熱敏電阻

-

工作溫度

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

10.84nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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