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APTGT75H60T1G

APTGT75H60T1G

僅供參考

型號 APTGT75H60T1G
PNEDA編號 APTGT75H60T1G
描述 POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT75H60T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT75H60T1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT75H60T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce4.62nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

4mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 90A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

180A

功率-最大

760W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

7.5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

1100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

30nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

550pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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