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MII150-12A4

MII150-12A4

僅供參考

型號 MII150-12A4
PNEDA編號 MII150-12A4
描述 MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,806
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MII150-12A4資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MII150-12A4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
MII150-12A4, MII150-12A4數據表 (總頁數: 4, 大小: 120.31 KB)
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MII150-12A4規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型NPT
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)180A
功率-最大760W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)7.5mA
輸入電容(Cies)@ Vce6.6nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Y3-DCB
供應商設備包裝Y3-DCB

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輸入電容(Cies)@ Vce

-

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NTC熱敏電阻

Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 30V

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NTC熱敏電阻

No

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

28nF @ 25V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

27nF @ 25V

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