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APTM100DA40T1G

APTM100DA40T1G

僅供參考

型號 APTM100DA40T1G
PNEDA編號 APTM100DA40T1G
描述 MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,112
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM100DA40T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM100DA40T1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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APTM100DA40T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs480mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs260nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)357W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SP1
包裝/箱SP1

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

63mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+22V, -20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 1.1A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 410µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 18V

Vgs(最大)

+22V, -6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

184pF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

44W (Tc)

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24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

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-

功耗(最大值)

45W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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