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APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

僅供參考

型號 APTM100H45SCTG
PNEDA編號 APTM100H45SCTG
描述 MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM100H45SCTG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM100H45SCTG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM100H45SCTG規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A
Rds On(Max)@ Id,Vgs540mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs154nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4350pF @ 25V
功率-最大357W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.5nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36.8nC @ 10V

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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