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APTM100TA35SCTPG

APTM100TA35SCTPG

僅供參考

型號 APTM100TA35SCTPG
PNEDA編號 APTM100TA35SCTPG
描述 MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,426
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM100TA35SCTPG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM100TA35SCTPG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM100TA35SCTPG規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
FET類型6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A
Rds On(Max)@ Id,Vgs420mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs186nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5200pF @ 25V
功率-最大390W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝SP6-P

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 25V

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15pF @ 25V

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