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APTM10DDAM19T3G

APTM10DDAM19T3G

僅供參考

型號 APTM10DDAM19T3G
PNEDA編號 APTM10DDAM19T3G
描述 MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM10DDAM19T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM10DDAM19T3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM10DDAM19T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)70A
Rds On(Max)@ Id,Vgs21mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs200nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5100pF @ 25V
功率-最大208W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.7nC @ 4.5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

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7nC @ 4.5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

116mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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