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AUIRF9952QTR

AUIRF9952QTR

僅供參考

型號 AUIRF9952QTR
PNEDA編號 AUIRF9952QTR
描述 MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUIRF9952QTR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUIRF9952QTR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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AUIRF9952QTR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A, 2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds190pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC, 36nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

590pF, 2410pF @ 15V

功率-最大

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安裝類型

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

115pF @ 6V

功率-最大

390mW

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32.4mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

353pF @ 15V

功率-最大

2.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A, 4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

398pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A, 33A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 12V

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