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APTM10DHM09TG

APTM10DHM09TG

僅供參考

型號 APTM10DHM09TG
PNEDA編號 APTM10DHM09TG
描述 MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,316
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM10DHM09TG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM10DHM09TG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM10DHM09TG, APTM10DHM09TG數據表 (總頁數: 6, 大小: 280.43 KB)
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APTM10DHM09TG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)139A
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs350nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9875pF @ 25V
功率-最大390W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 127A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2450pF @ 25V

功率-最大

3.2W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

225mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

75pF @ 15V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

900mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

271pF @ 10V

功率-最大

710mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A, 4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

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