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APTM10UM01FAG

APTM10UM01FAG

僅供參考

型號 APTM10UM01FAG
PNEDA編號 APTM10UM01FAG
描述 MOSFET N-CH 100V 860A SP6
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $1,061.6573
50 ---------- $1,011.8922
100 ---------- $962.1270
200 ---------- $912.3618
400 ---------- $870.8908
500 ---------- $829.4198
庫存 177
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM10UM01FAG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM10UM01FAG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APTM10UM01FAG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)860A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.6mOhm @ 275A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 12mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2100nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds60000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2500W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SP6
包裝/箱SP6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

44A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

77nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4812pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 125W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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