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APTM20AM04FG

APTM20AM04FG

僅供參考

型號 APTM20AM04FG
PNEDA編號 APTM20AM04FG
描述 MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM20AM04FG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM20AM04FG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM20AM04FG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)372A
Rds On(Max)@ Id,Vgs5mOhm @ 186A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 10mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs560nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds28900pF @ 25V
功率-最大1250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA, 1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.58nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 10V

功率-最大

800mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 15V

功率-最大

2.8W

工作溫度

150°C (TJ)

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 25V

功率-最大

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