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APTM20HM08FG

APTM20HM08FG

僅供參考

型號 APTM20HM08FG
PNEDA編號 APTM20HM08FG
描述 MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM20HM08FG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM20HM08FG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM20HM08FG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)208A
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs280nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14400pF @ 25V
功率-最大781W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1000A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 800A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2355nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

731pF @ 20V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

920mOhm @ 300mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.05nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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