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APTM20HM10FG

APTM20HM10FG

僅供參考

型號 APTM20HM10FG
PNEDA編號 APTM20HM10FG
描述 MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM20HM10FG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM20HM10FG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM20HM10FG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)175A
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs224nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13700pF @ 25V
功率-最大694W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

562pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2127pF @ 25V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

90.4mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

535pF @ 25V

功率-最大

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工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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