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APTM20TDUM16PG

APTM20TDUM16PG

僅供參考

型號 APTM20TDUM16PG
PNEDA編號 APTM20TDUM16PG
描述 MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM20TDUM16PG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM20TDUM16PG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM20TDUM16PG, APTM20TDUM16PG數據表 (總頁數: 8, 大小: 294.95 KB)
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APTM20TDUM16PG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)104A
Rds On(Max)@ Id,Vgs19mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs140nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7220pF @ 25V
功率-最大390W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6-P

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A, 2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

1.1W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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