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SI5504DC-T1-E3

SI5504DC-T1-E3

僅供參考

型號 SI5504DC-T1-E3
PNEDA編號 SI5504DC-T1-E3
描述 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,826
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5504DC-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5504DC-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI5504DC-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.9A, 2.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝1206-8 ChipFET™

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 40V

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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TrenchFET®

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N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

485mA, 370mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1560pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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