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APTM50DSKM65T3G

APTM50DSKM65T3G

僅供參考

型號 APTM50DSKM65T3G
PNEDA編號 APTM50DSKM65T3G
描述 MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,088
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM50DSKM65T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM50DSKM65T3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM50DSKM65T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)51A
Rds On(Max)@ Id,Vgs78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs140nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7000pF @ 25V
功率-最大390W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A, 800mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

138pF @ 60V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1165pF @ 10V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.39A, 1.28A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

448pF @ 15V

功率-最大

2W

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