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IRF7343TRPBF

IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF

僅供參考

型號 IRF7343TRPBF
PNEDA編號 IRF7343TRPBF
描述 MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 28,560
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7343TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7343TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7343TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.7A, 3.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds740pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA, 330mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.23nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 10V

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 10V

功率-最大

200mW (Ta)

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

864pF @ 30V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

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FET類型

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta), 3.7A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

574pF @ 20V, 587pF @ 20V

功率-最大

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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